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Transistors Construction : Fabriqué avec un boîtier TO-220 robuste, le HYG020N04NA1P résiste aux environnements difficiles. Capacité de courant élevée : bénéficiant d'une capacité de courant de 220 A, MOSFET dans les circuits électroniques de haute puissance. Haute tension nominale : avec une valeur nominale de 40 V, le MOSFET HYG020N04NA1P gère facilement les applications haute tension.