BRAINZAP Mémoire RAM DDR4 SO DIMM PC4 2666V 1Rx16 2666 MHz 1,2 V CL19 4 Go

Description du produit Notre module de mémoire DDR4 RAM de 4 Go, portant la référence BS-D4-4G-SO-2666-N, fonctionne à 1,2 V et est fabriqué et contrôlé selon les normes de qualité les plus strictes.La fréquence de la mémoire est de 2666 MHz et est rétrocompatible avec 2400 MHz, et 2133 MHz.La marque BRAINZAP est enregistrée auprès du JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) et nos modules de mémoire sont conformes à 100% aux spécifications JEDEC. Le module de mémoire est prorammé avec les spécifications JEDEC PC4-2666V. La latence de mémoire correspondante est CL19. Le module de mémoire est équipé d'un seul côté (Single-Rank 1Rx8). Le module de mémoire est non bufferisé et non ECC et fonctionne donc sans problème dans la plupart des appareils.Nous utilisons uniquement des puces de marque (de préférence Samsung, Micron et SK Hynix).Nouvelle mémoire.Puces de marque (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Compatible avec la plupart des ordinateurs portables équipés de mémoire DDR4.Exemple d'illustration. L'apparence peut varier.

4 Go (1 x 4 Go) DDR4 RAM SO-DIMM PC4-2666V 1Rx8 2666 MHz 260 PIN 1.2V CL19 Mémoire à vie. Nous n'utilisons que des puces de marque. Compatible avec la plupart des ordinateurs portables, portables et netbooks avec RAM DDR4 Convient pour double canal. Performance et stabilité maximales. Single Rank / Unilateral approvisionné