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Modèle : IRF540N; Courant de vidange Id : 33 A ; Tension drain-source Vds : 100 V ; Polarité du transistor : Canal N. Matériau durable : Le transistor est constitué d'un matériau semi-conducteur à oxyde métallique, qui présente une bonne stabilité thermique et une longue durée de vie. Technologie de processus avancée : Le transistor est une sorte de composant électronique de précision avec une résistance d'entrée élevée, un faible bruit, une faible consommation d'énergie et une large plage dynamique. Application : Il s'agit d'un dispositif semi-conducteur de puissance couramment utilisé dans les circuits électroniques, qui peut être utilisé comme commutateurs électroniques, redresseurs contrôlables, etc. Multifonction : Redresseur à canal N avec de multiples fonctions telles que la détection, la rectification, l'amplification, la commutation, la stabilisation de la tension et la modulation du signal, largement utilisé dans les circuits intégrés à grande et très grande échelle.