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Tension drain-source : 40 V, courant de vidange continu ID : 60 A, courant de vidange continu (TC = 100 ℃) Id : 42 A, dissipation de puissance maximale 65 W, drain-source sur-résistance Rds (on): 13 mΩ. NCE4060K est un transistor MOSFET à canal N dans un boîtier SMD TO-252, adapté pour la conversion de puissance et les scénarios de commutation à haut rendement. Ce produit est adapté pour des applications telles que l'entraînement moteur, la gestion de l'alimentation, la protection de la batterie, la gradation LED, les modules boost/buck et les interrupteurs de charge électroniques. Il utilise des puces de silicium haute tension et résistantes à la température et une structure d'emballage à faible résistance interne pour fournir des solutions de commutation de courant à haute efficacité et à faible chaleur. Chaque lot contient 10 MOSFET NCE4060K, ce qui est pratique pour une utilisation dans plusieurs scénarios et plusieurs produits.