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Transistor MOSFET à canal N P/N: IRFP250NPBF ;Boîtier: TO-247S Vdss:30A; Id:200V; Pd:210W Caractéristiques : vitesse de commutation rapide ; impédance d'entrée élevée et commande de bas niveau ; testé pour l'énergie d'avalanche ; capacité dv/dt améliorée, grande robustesse Quantité par boîtier: 5 Pièces