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PENGLIN 100pcs AO3401 P Canal Gain Mode Champ Effets SMD A19T MOSFET Transistors SOT 23
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VDS(V) : 30 V ID : 4,2 A RDS(ON) < 50 mΩ Conception cellulaire haute densité pour une résistance à la transmission extrêmement faible Faible charge de portière REMARQUE : une exposition prolongée aux valeurs maximales absolues peut affecter la fiabilité du composant. Utilisation dans les applications à haute fréquence telles que l'amplification RF, le traitement du signal et les applications de gestion de l'énergie.
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VDS(V) : 30 V ID : 4,2 A RDS(ON) < 50 mΩ Conception cellulaire haute densité pour une résistance à la transmission extrêmement faible Faible charge de portière REMARQUE : une exposition prolongée aux valeurs maximales absolues peut affecter la fiabilité du composant. Utilisation dans les applications à haute fréquence telles que l'amplification RF, le traitement du signal et les applications de gestion de l'énergie.
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