SANDISK Ultra Carte SDXC UHS I 512 Go (Jusqu’à 195 Mo/s en Lecture, vidéo Full HD, V10, U1, C10) Memory Zone App

Avec une carte SD SANDISK Ultra fiable, capturez les meilleurs moments en Full HD. Et grâce à la vitesse de lecture élevée allant jusqu'à 195 Mo/s [modèles de 128 Go à 512 Go], combinée à un lecteur de cartes SD SANDISK QuickFlow UHS-I avec connecteur USB-A (vendu séparément), vous passerez moins de temps à attendre le transfert de vos photos et vidéos, et vous aurez plus de temps pour suivre votre inspiration. Voyagez en toute tranquillité, sachant que votre carte est étanche, résistante aux températures, aux rayons X, aux chocs, aux aimants, à l'humidité, à l'usure et aux vibrations. Et sauvegardez, organisez et transférez facilement vos photos et vidéos grâce à l'application SANDISK Memory Zone pour ordinateur. • NE MANQUEZ PLUS JAMAIS UN MOMENT SPÉCIAL. Grâce à une vitesse d'enregistrement vidéo exceptionnellement rapide, vous pouvez capturer les souvenirs les plus importants en Full HD. • DE LA PLACE POUR TOUTES VOS PHOTOS. Avec une capacité allant jusqu'à 512 Go, vous pouvez enregistrer d'innombrables photos et des heure

SAISISSEZ CHAQUE MOMENT FORT. Grâce à des performances d’enregistrement exceptionnelles, immortalisez les instants précieux en Full HD. ENREGISTREZ EN CONTINU. La capacité atteignant 512 Go vous permet de prendre de nombreux clichés et d’enregistrer des heures de vidéos en Full HD sans changer de carte. PLUS DE TEMPS, PLUS DE SOUVENIRS. Gagnez du temps grâce à des vitesses de lecture atteignant 195 Mo/s [modèles 128 Go-512 Go] lors de l’utilisation du lecteur USB-A de carte SD UHS-I SANDISK QuickFlow (vendu séparément). Vous pouvez ainsi transférer vos fichiers et commencer une nouvelle session créative. ULTRA-DURABLE. Votre carte est testée pour vous suivre lors de vos aventures et résiste à l’eau, aux températures, aux rayons X, aux chutes, aux aimants, à l’humidité, à l’usure et aux chocs. UNE CARTE CONÇUE POUR DURER. Des techniques exclusives de gestion de la mémoire flash permettent de produire en interne une NAND de pointe.