Silicon Power Mémoire DDR4L 8 Go - 2666 MT/s CL19 - SODIMM - SP008GBSFU266X02
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Description
Ce module mémoire SODIMM DDR4 Silicon Power offre une mise à niveau simple et efficace pour les systèmes qui nécessitent plus de mémoire et une meilleure réactivité. Avec une capacité de 8 Go, il s’insère facilement dans les logements compatibles et permet un chargement plus rapide des applications, une meilleure gestion des programmes gourmands en données et une stabilité accrue en fonctionnement. Le passage au DDR4 contribue à une consommation d’énergie plus faible par rapport aux standards DDR3, et une dissipation thermique améliorée peut aider à maintenir des températures plus basses et une durée de vie potentiellement plus longue du système. Conçu pour optimiser les performances du PC sans compromis, ce module est également assorti d’une garantie de 2 ans, ce qui offre une sécurité supplémentaire pour votre investissement.
Caractéristiques
- Capacité: 8 Go DDR4 SODIMM
- Vitesse: 2666 MT/s, CL19
- Voltage et efficacité: amélioration par rapport au DDR3 1,5 V
- Conception thermique: meilleure dissipation
- Stabilité et durabilité accrues
- Garantie: 2 ans
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Ce module mémoire SODIMM DDR4 Silicon Power offre une mise à niveau simple et efficace pour les systèmes qui nécessitent plus de mémoire et une meilleure réactivité. Avec une capacité de 8 Go, il s’insère facilement dans les logements compatibles et permet un chargement plus rapide des applications, une meilleure gestion des programmes gourmands en données et une stabilité accrue en fonctionnement. Le passage au DDR4 contribue à une consommation d’énergie plus faible par rapport aux standards DDR3, et une dissipation thermique améliorée peut aider à maintenir des températures plus basses et une durée de vie potentiellement plus longue du système. Conçu pour optimiser les performances du PC sans compromis, ce module est également assorti d’une garantie de 2 ans, ce qui offre une sécurité supplémentaire pour votre investissement.
Caractéristiques
- Capacité: 8 Go DDR4 SODIMM
- Vitesse: 2666 MT/s, CL19
- Voltage et efficacité: amélioration par rapport au DDR3 1,5 V
- Conception thermique: meilleure dissipation
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