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Application : Généralement utilisé dans les applications haute fréquence telles que les applications d’amplification RF, de traitement du signal et de gestion de l’énergie. Emballage : Sécurisé dans un sac antistatique offrant une protection électrostatique, une sécurité ESD et une durée de conservation prolongée. Spécifications : Tension du transistor à canal N : 30 V et courant : 5,7 A, température minimale -55 °C, température maximale 150 °C ± 30 °C. REMARQUE : L'exposition à des conditions nominales maximales absolues pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité de l'appareil.