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Application : généralement utilisé dans les applications à haute fréquence telles que l'amplification RF, le traitement du signal et les applications de gestion de l'alimentation. Emballage : sécurisé dans un sac antistatique offrant une protection électrostatique, une sécurité ESD et une durée de vie prolongée. Caractéristiques : tension du transistor canal N : 30 V et courant : 5,7 A, température minimale -55 °C, température maximale 150 °C ± 30 °C. REMARQUE : L'exposition à des conditions maximales absolues pendant de longues périodes peut affecter la fiabilité de l'appareil